Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/475946| Title: | Penyediaan Semikonduktor Wo, Terdop Mangan, Ferum, Kobalt, Nikel, Galium Dan Molibdenum Sebagai Fotoanod Sel Fotoelektrokimia |
| Authors: | Ng Kim Hang |
| Supervisor: | Prof. Madya Dr. Mohammad B. Kassim |
| Keywords: | Fotoanod Semikonduktor Fotoelektrokimia Tungsten trioxide. |
| Issue Date: | 23-Nov-2011 |
| Description: | Filem nipis semikonduktor tungsten trioxida (fotoanod) berdopan ferum, nikel, kobalt, gallium, molibdenum atau Mangan telah disediakan bermula daripada asid tungstik dan garam asetatlklorida logam berkenaan dengan kaedah sol-gel di atas kaca FTO (stanum oksida terdop fluorin). Kesemua fotoanod tersebut telah dicirikan dengan kaedah SEM-EDX, XRD dan spektroskopi UV -Vis. Aktiviti fotomangkin semua fotoanod untuk menghasilkan fotoarus telah dikaji dengan menggunakan sel fotoelektrokimia di dalam larutan 0.5 M NaS04, menggunakan platinum sebagai elektrod pelengkap dan SeE (elektrod kalomel tepu) sebagai elektrod rujukan. Mikrograf SEM menunjukkan pengedopan telah mengakibatkan peningkatan saiz zarah W03 yang telah mengakibatkan kecederungan untuk penggabungan semula pasangan elektron-Iohong positif secara pukal. Ini menyebabkan elektron yang terjana semasa ujaan cahaya lebih sukar dipindahkan dari pusat zarah W03 kepada elektrod pelengkap untuk penurunan ion hidrogen. Difraktogram XRD W03 telah menunjukkan anjakan sebanyak 0.20 berlaku bagi puncak utama (200) fasa W03 dan ini membuktikan bahawa dopan telah berjaya digabungkan ke dalam kekisi W03. Dengan itu, jurang tenaga W03 telah dikurangkan daripada 2.73 e V kepada 2.55 e V, kecuali pengedopan dengan logam kobalt yang meningkatkan jurang tenaga W03 kepada 3.03 eV. Julat penyerapan cahaya telah dipertingkatkan dari 450 nm kepada 485 nm dengan pengurangan jurang tenaga semikonduktor W03 dan elektron di dalam jalur valensi semikonduktor W03 dapat diujakan kepada jalur konduksi dengan tenaga yang lebih rendah. Ujian fotoelektrokimia menunjukkan pengedopan telah mempertingkatkan aktiviti fotomangkin W03. Fotoarus W03 tulen telah dipertingkatkan dari 50 J.1A1cm2 kepada 155 J.1A1cm2, kecuali pengedopan dengan kobalt yang menambah jurang tenaga W03 mengakibatkan kemerosotan ketumpatan fotoarus. Secara umumnya, pengedopan yang dilakukan telah mengurangkan jurang tenaga semikonduktor W03 dan seterusnya menyumbang kepada peningkatan aktiviti fotomangkin. Ini membuka ruang kepada semikonduktor W03 berdopan Ga, Mo, Fe dan Ni untuk digunakan sebagai bahan untuk fotoanod sel fotoelektrokimia,Sarjana Sains |
| Pages: | 66 |
| Call Number: | QD181.W1.N467 2012 tesis |
| Publisher: | UKM, Bangi |
| Appears in Collections: | Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi |
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.