1. UKM Learning and Research Repository
2. Master Thesis / Tesis Master
3. Institute of Microengineering and Nanoelectronics / Institut Kejuruteraan Mikro dan Nanoelektronik (IMEN)

Title:	Penghasilan dan pencirian transistor kesan medan nanotiub karbon (CNTFET) melalui kaedah pertumbuhan langsung dan kaedah penyebaran
Authors:	Farah Dzilhani Zulkefli (P88582)
Supervisor:	Mohd Ambri Mohamed, Prof. Madya Dr.
Keywords:	Carbon nanotubes Transistors Universiti Kebangsaan Malaysia -- Dissertations Dissertations, Academic -- Malaysia
Issue Date:	21-Aug-2019
Description:	Nanotiub karbon (CNT) boleh dianggap sebagai alotrop karbon yang paling banyak dikaji dalam alaf ini. Dari sudut pandangan aspek pencirian elektronik, CNT boleh menjadi samada konduktor mahupun semikonduktor bergantung ke atas struktur molekulnya. Teknik untuk memisahkan ikatan CNT kepada penyebaran CNT yang homogen masih dalam kajian. Kaedah pertumbuhan langsung menjanjikan peranti CNT logam namun sukar memperoleh peranti semikonduktor kerana ikatan CNT yang cenderung kepada struktur molekul logam. Manakala kaedah penyebaran CNT dalam bentuk cecair boleh menstabilkan individu CNT juga mengekalkan integriti dan sifat intrinsiknya. Oleh itu, kajian ini adalah untuk memperkenalkan transistor kesan medan (FET) jenis konduktor dan semikonduktor melalui kaedah pertumbuhan langsung CNT dan melalui kaedah penyebaran bagi memperoleh sasaran diameter seragam berkisar dibawah 100 nm untuk mendapatkan kualiti CNTFET yang baik. Secara intrinsiknya, CNT boleh untuk mengikat atau memisah. Cara bagi mengatasi hal sedmikian telah diterokai dan diuji melalui pelbagai teknik demi menambah baik penyebaran CNT di dalam bentuk cecair. Pertumbuhan CNT berlaku secara langsung di atas substrat Si/SiO2 dengan pemangkin Co menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia (ACCVD) pada suhu 900癈. Bilamana kaedah penyebaran CNT adalah lebih mudah, CNT sedia ada yang dikomersilkan telah disembur di atas permukaan substrat Si/SiO2. Morfologi kedua-dua CNT samada CNT yang tumbuh mahupun CNT sedia ada telah disiasat menggunakan spektroskopi Raman dan mikroskopi elektron pengimbasan pancaran medan (FESEM) bagi mengenal pasti saiz dan taburan CNT masing-masing. Dari segi mobiliti elektron, pada saluran peranti 10 祄, melalui kaedah pertumbuhan langsung dan kaedah penyebaran telah dikira masing-masing menghasilkan 4.1x 101 cm2 /Vs dan 1.9 x 103 cm2 /Vs. Dari aspek voltan threshold dan nisbah arus buka/tutup merujuk daripada pencirian pemindahan, CNTFET yang terhasil daripada kaedah penyebaran menghasilkan prestasi yang lebih kurang sama, masingmasing Vth = 1.0 V dan 10-3 /10-7 = 104 berbanding kaedah pertumbuhan masing-masing Vth = 0.2 dan 10-5 /10-8 = 104 . Konklusinya, sampel pada kepekatan CNT 5.518 X 10-3 M merupakan peranti yang memberikan prestasi baik berbanding sampel lain kerana nilai kiraan mobiliti yang paling tinggi iaitu 1900 cm2 /Vs dan nisbah arus buka/tutup juga paling tinggi pada 104.,Sarjana Sains
Pages:	74
Call Number:	TA418.9.N3F337 2019 3 tesis
Publisher:	UKM, Bangi
Appears in Collections:	Institute of Microengineering and Nanoelectronics / Institut Kejuruteraan Mikro dan Nanoelektronik (IMEN)

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.