Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/463398| Title: | Kesan kepekatan pengedopan boron dan fosforus ke atas voltan runtuh bagi simpang p-n silikon |
| Authors: | Nurul Afzan Omar (P43159) |
| Supervisor: | Mohamad Deraman, Prof. Dr. |
| Keywords: | Pengedopan boron Fosforus Silikon Dissertations, Academic -- Malaysia |
| Issue Date: | 5-Feb-2016 |
| Description: | Dua jenis simpang p-n telah dihasilkan, iaitu a) dengan mendopkan fosforus ke dalam substrat silikon jenis n (sampel-F) dan b) mengdopkan boron ke dalam substrat silikon jenis p (sampel-B). Pengedopan ini dilakukan melalui proses resapan yang melibatkan masa pra-peresapan 15, 25, 35, 45 dan 55 minit dengan setiap masa pra-peresapan yang dipilih dikenakan suhu pra-peresapan dari 975°C, 1010°C, 1040°C, 1070°C dan 1100°C. Untuk kedua-dua kes a) dan b), suhu pacuan peresapan adalah 1100°C dan masa pacuan peresapan adalah 3 jam. Pencirian kerintangan permukaan sampel menggunakan kuar empat titik menunjukan keputusan bahawa pengedopan ke dalam substrat silikon dapat mengurangkan kerintangan permukaan substrat sebanyak 95% untuk sampel-B dan pengurangan hampir 100% untuk sampel-F. Pengurangan ini berlaku kerana kehadiran dopan dalam substrat. Pencirian arus-voltan (I-V) menggunakan peralatan penyurih arus-voltan (I-V) ke atas sampel yang didop menghasilkan keputusan bahawa voltan runtuh optima (70 V) bagi sampel-B dapat diperolehi apabila suhu dan masa pra-peresapan pada 1010°C dan 25 minit. Manakala untuk sampel-F voltan runtuh optima (55 V) dapat dihasilkan oleh suhu dan masa praperesapan yang berada dalam julat 1010°C hingga 1070°C dan 25 minit hingga 35 minit. Perbandingan nilai teori dan eksperimen voltan runtuh menunjukan bahawa tren perubahan voltan runtuh terhadap masa dan suhu pra-peresapan hampir sama tetapi nilai yang diperolehi didapati berbeza antara nilai teori dan eksperimen. Perbezaan ini berpunca daripada perubahan suhu ke atas substrat ketika proses memulakan proses pra-peresapan iaitu bermula dari memuatkan sampel ke dalam relau sehingga sampel mendapat suhu optima relau. Tempoh masa yang diambil ini boleh memberi kesan kepada peresapan dopan ke dalam substrat dan mengakibatkan kepekatan dopan yang terdop tidak tepat dan ini akan memberi kesan kepada nilai voltan runtuh yang diperolehi.,Sarjana Sains |
| Pages: | 112 |
| Publisher: | UKM, Bangi |
| Appears in Collections: | Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ukmvital_81372+SOURCE1+SOURCE1.0.PDF Restricted Access | 181.3 kB | Adobe PDF |  View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.