Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/462681| Title: | Kesan sepuhlindap ke atas ciri elektrik sentuhan Ohmik dan Schottky untuk peranti transistor elektron berkelincahan tinggi (HEMTs) |
| Authors: | Asban Dolah (P38625) |
| Supervisor: | Mohamad Deraman, Prof. Dr. |
| Keywords: | Asid Hidroklorik Asid Hidroflorik Buffered Oxide Etch Spektroskopi Photoelektron Universiti Kebangsaan Malaysia -- Dissertations. |
| Issue Date: | 15-Jun-2015 |
| Description: | Dalam penyelidikan ini, sentuhan Ohmik dan Schottky telah difabrikasi pada lapisan GaAs/AlGaAs/InGaAs Transistor Elektron Berkelincahan Tinggi (HEMTs). Antara muka logam-semikonduktor yang baik adalah penting untuk rintangan sentuhan spesifik yang terendah dan sifat-sifat penerus yang baik. Wafer epitaksi GaAs/AlGaAs/InGaAs telah diperolehi daripada pembekal. GaAs/AlGaAs/InGaAs substrat dicuci dengan menggunakan teknik punaran bahan kimia basah. Dalam menentukan larutan yang paling efektif untuk membuang oksida semula jadi yang boleh menurunkan prestasi peranti, Asid Hidroklorik (HCl), Asid Hidroflorik (HF) dan Buffered Oxide Etch, BOE telah masing-masing digunakan sebagai bahan punaran. Sampel yang dicuci telah dianalisa dengan menggunakan teknik X-Ray Spektroskopi Photoelektron (X-Ray Photoelectron Spectroscop, XPS). Elektrod (kedua-dua sentuhan Ohmik dan Schottky) telah difabrikasi melalui proses litografi, cucian, pemendapan logam dan lift-off. Elektrod telah disediakan dengan menggunakan lapisan logam Ge, Au, Pt, Ti dan Ni. Untuk kedua-dua sentuhan Ohmik dan Schottky, jenis pembolehubah seperti ketebalan logam, suhu sepuhlindap (dari 300oC ke 400oC) dan masa sepuhlindap telah diubah semasa proses fabrikasi. Tetapi, untuk sentuhan Schottky, lapisan Au telah digantikan dengan Cu untuk melihat kesan jenis logam pada sawar Schottky. Pencirian elektrik sebelum dan selepas sepuhlindap telah dilakukan dengan kaedah pengukuran garis transmisi untuk mengukur rintangan sentuhan tentu dan kaedah pengukuran arus-voltan telah digunakan untuk menentukan sawar Schottky dan Faktor Ideal. Rawatan asid hidroklorik menghasilkan jumlah penurunan kandungan oksida dengan lebih efektif, di mana ia boleh menurunkan kandungan oksida permukaan dari 9.5 % kepada 5.4 %. Suhu sepuhlindap antara 340°C hingga 360 °C menghasilkan sentuhan ohmik yang paling baik bawah dari 5 x 10-3 Ωcm 2 . Sawar Schottky meningkat dengan meningkatnya suhu sepulindap sehingga 400°C tetapi ketinggian sawar Schottky dan Faktor Ideal tidak berubah bila masa perlogaman bertambah. Sawar Schottky tertinggi yang dicapai adalah kurang dari 1 eV dengan Faktor Keunggulan meningkat sehingga 5.,Tesis ini tidak ada Perakuan Tesis Sarjana/Doktor Falsafah" |
| Pages: | 127 |
| Call Number: | TK7871.95.A834 2015 tesis |
| Publisher: | UKM, Bangi |
| Appears in Collections: | Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ukmvital_119404+SOURCE1+SOURCE1.0.PDF Restricted Access | 27.35 MB | Adobe PDF |  View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.