1. UKM Learning and Research Repository
2. PHD Thesis / Tesis PHD
3. Institute of Microengineering and Nanoelectronics / Institut Kejuruteraan Mikro dan Nanoelektronik (IMEN)

Title:	Sintesis Dan Pencirian Nanodawai ZnO Tulen Dan Berdop Indium, Stanum Dan Magnesium
Authors:	Abrar Ismardi (P45998)
Supervisor:	Dee Chang Fu, Prof. Madya. Dr.
Keywords:	Sintesis Dan Pencirian Nanodawai ZnO Tulen Sintesis Nanodawai ZnO Tulen Pencirian Nanodawai ZnO Tulen Sintesis Dan Pencirian Nanodawai Nanowires
Issue Date:	15-Jan-2013
Description:	Nanostruktur 1-Dimensi (1-D) menjadi salah satu struktur yang paling penting yang lazim digunakan dalam pelbagai aplikasi, seperti peranti elektrik, optik, penderiaan dan sebagainya. ZnO, sebagai salah satu bahan semikonduktor oksida logam yang terkenal, yang mempunyai jurang jalur lebar langsung 3,37 eVpada suhu bilik dan tenaga ikat eksiton sebesar 60 MeV juga telah digunakan untuk beberapa aplikasi. 1-D Nanostruktur daripada ZnO seperti nanodawai, nanobelts, nanozarah, nanoheliks dan nanostruktur lainnya telah menarik minat besar daripada penyelidik kerana sifat aneh dan unik yang dipunyainya pada saiz nanometer serta kebarangkalian untuk pembinaan nanoblok untuk pembuatan perantinano. Dalam kajian ini, telah disintesis dan dicirikan nanodawai ZnO, serta dilakukan beberapa cara untuk meningkatkan sifat-sifat ZnO sehingga boleh digunakan sebagai sensor gas dan pengesan cahaya ultraungu (UV). Nanodawai ZnO telah disintesis dengan menggunakan kaedah penyejatan terma menggunakan kaedah tiub tunggal dan tiub ganda. Selain itu, nanodawai ZnO juga telah didopkan dengan beberapa bahan pendop, seperti indium, stanum dan magnesium untuk memperbaiki dan mempertingkatkan beberapa sifat yang sesuai untuk digunakan dalam beberapa aplikasi. Kedua-dua, nanodawai ZnO tulen dan ZnO berdop telah dicirikan morfologinya, struktur penghabluran dan kristal dan banyak sifat lainnya dengan menggunakan FESEM, HRTEM, XRD, XPS, PL dan serakan Raman. Akhirnya, kedua-dua nanodawai ZnO tulen dan berdop telah diuji kepekaannya terhadap aseton, gas butana, dan juga untuk pengesan cahaya UV di dalam ruang vakum dan beroperasi pada suhu yang lebih tinggi (200o-300oC). Hasil pencirian telah menunjukkkan sambutan atas pengesanan gas dan cahaya UV bagi nanodawai ZnO tulen dan nanodawai ZnO berdop indium, stanum dan magnesium. Nanodawai ZnO dan siri berdop, menunjukkan prestasi yang baik terhadap pengesanan gas apabila ia beroperasi pada suhu yang lebih tinggi, kerana sebahagian daripada mereka tidak mempunyai tindak balas dengan gas pada suhu bilik. Rintangan nanodawai berkurangan seiring dengan kenaikan suhu kebuk. Secara amnya, telah didapati bahawa nanodawai ZnO berdop indium menunjukkan sambutan yang lebih tinggi dan masa pemulihan yang lebih singkat apabila terdedah kepada gas dan cahaya UV berbanding dengan nanodawai ZnO berdop stanum dan magnesium. Juga, rintangan daripada nanodawai ZnO berdop telah didapati menurun selepas pencahayaan cahaya UV berbanding di dalam bilik gelap.,PhD
Pages:	154
Call Number:	TK7874.85 .A247 2013
Publisher:	UKM, Bangi
Appears in Collections:	Institute of Microengineering and Nanoelectronics / Institut Kejuruteraan Mikro dan Nanoelektronik (IMEN)

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.