Please use this identifier to cite or link to this item: https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/486877
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorSawal Hamid Md Ali, Prof. Madya Dr.-
dc.contributor.authorSiti Sarah Md Sallah (P72655)-
dc.date.accessioned2023-10-11T02:26:11Z-
dc.date.available2023-10-11T02:26:11Z-
dc.date.issued2017-01-08-
dc.identifier.otherukmvital:98849-
dc.identifier.urihttps://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/486877-
dc.descriptionAktiviti pengecilan bagi mengurangkan dimensi transistor semikonduktor pelengkap logam oksida (CMOS) akan membawa ke arah integrasi komponen yang lebih tinggi dan meningkatkan kerumitan saling-hubung elektrik dalam ruang cip yang terhad. Walau bagaimanapun, kemajuan yang pesat dalam teknologi nano telah menarik minat para penyelidik untuk meneroka teknologi optik sebagai medium saling-hubung untuk digunakan dalam litar bersepadu. Tujuan kajian ini adalah untuk merekabentuk, mengesahkan serta membandingkan keupayaan saling-hubung optik dengan salinghubung elektrik yang dilihat sebagai penyelesaian utama terutamanya dalam aplikasi atas-cip litar bersepadu dan juga untuk mengatasi kesesakan komunikasi dalam teknologi litar berkelajuan tinggi. Bahan-bahan yang digunakan untuk merekabentuk pandu gelombang untuk saling-hubung optik (OI) adalah silikon-atas-penebat (SOI), indium galium arsenida fosfid dan polimer dengan menggunakan perisian OptiBPM dan Mode Solutions. Dimensi bagi struktur pandu gelombang rusuk menggunakan SOI divariasikan dengan nisbah ketinggian papak (h) kepada ketebalan lapisan terpandu silikon (H) dalam julat 0.5 ≤ h/H ≤ 0.9. Maka keadaan mod tunggal kemudiannya dicapai apabila dimensi bagi struktur pandu gelombang rusuk SOI adalah pada h = 0.8 μm, d = 0.2 μm dan W = 0.5 μm. Saling-hubung optik direkabentuk dengan menggunakan perisian OptiSPICE dan kebolehfungsiannya dalam litar bersepadu diuji menggunakan dua litar bersepadu yang berbeza menggunakan perisian OptiSYSTEM. Satu jenis fotopengesan digunakan:fotopengesan p-intrinsik-n menggunakan bahan germanium. Prestasi saling-hubung optik dan saling-hubung elektrik berasaskan kuprum ditentusahkan mengikut kriteria litar masing-masing. Pada litar analog, keputusan penguat punca sepunya dua peringkat menunjukkan saling-hubung optik telah meningkatkan gandaan penguat iaitu dari 9.54 kepada 16.26 dB, mengurangkan penggunaan arus iaitu dari 13.273 ke 9.620 mA, meningkatkan kadar slu iaitu dari 0.3 ke 0.6 V/μs, dan mengurangkan lengah perambatan iaitu dari 22.40 ke 1.447 ns. Manakala, pada litar digital, penimbal CMOS dua peringat menggunakan saling-hubung optik dapat mengurangkan lengah perambatan iaitu dari 50.48 ns kepada 0.215 ns. Untuk kedua-dua jenis litar ini, saling-hubung optik mampu mengurangkan sehingga 93.5 % - 99.5 % lengah perambatan. Justeru itu, saling-hubung optik yang dicadangkan ini adalah sesuai untuk menggantikan saling-hubung elektrik kerana dapat meningkatkan prestasi litar bersepadu dan juga dapat mengurangkan lengah dan kuasa yang dihadapi oleh salinghubung elektrik pada litar bersepadu.,Tesis ini tidak ada Perakuan Tesis Sarjana/Doktor Falsafah"-
dc.language.isomay-
dc.publisherUKM, Bangi-
dc.relationFaculty of Engineering and Built Environment / Fakulti Kejuruteraan dan Alam Bina-
dc.rightsUKM-
dc.subjectSemikonduktor-
dc.subjectMetal oxide semiconductors-
dc.subjectComplementary-
dc.titlePerbandingan saling-hubung elektrik dan saling-hubung optik atas-cip untuk litar bersepadu-
dc.typeTheses-
dc.format.pages155-
dc.identifier.callnoTK7871.99.M44S593 3 tesis-
dc.identifier.barcode003201(2018)-
Appears in Collections:Faculty of Engineering and Built Environment / Fakulti Kejuruteraan dan Alam Bina

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ukmvital_98849+SOURCE1+SOURCE1.0.PDF
  Restricted Access
531.24 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.