Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/468005Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | Saleem H. Zaidi, Prof. Dr. | - |
| dc.contributor.author | Wan Zulhafizhazuan Wan Jusoh (P75301) | - |
| dc.date.accessioned | 2023-10-02T07:24:44Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-02T07:24:44Z | - |
| dc.date.issued | 2018-08-15 | - |
| dc.identifier.other | ukmvital:121941 | - |
| dc.identifier.uri | https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/468005 | - |
| dc.description | Silikon (Si) ialah semikonduktor yang mempunyai nilai jurang tenaga tidak langsung serta menjadi tulang belakang kepada industri mikroelektronik dan fotovoltaik ( PV ). Jenis Si boleh ditentukan sama ada polariti positif atau negatif ketika proses pembinaannya atau ketika proses pengedopan. Kajian ini memfokuskan tentang penilaian perbandingan bagi proses fabrikasi sel suria secara konvensional bagi kedua-dua wafer Si terdop-p dan terdop-n. Majoriti sel suria Si di dalam pasaran PV adalah berasaskan Si wafer jenis-p. Sel - sel suria ini terdedah kepada degradasi aruhan-cahaya dan jangka hayat pembawa minoriti yang rendah. Kebelakangan ini, terdapat peningkatan pengunaan dalam teknologi wafer jenis-n berikutan sifatnya seperti degradasi yang minimum, rendah kecacatan dan jangka hayat yang tinggi menyebabkan ianya sesuai dijadikan sel suria berkecekapan tinggi. Tesis ini mengkaji proses semikonduktor yang sama untuk simulasi, fabrikasi dan pencirian sel-sel suria jenis-p dan jenis-n. Perbezaan utama sel suria jenis-p dan jenis-n ialah lokasi pemancar. Sebagai contoh lokasi pemancar bagi sel suria jenis-p adalah pada bahagian hadapan dan bagi sel suria jenis-n adalah pada bahagian belakang. Perisian simulasi PC1D diguna-pakai dalam kajian ini untuk menilai kecekapan sel suria berdasarkan kerintangan substrat, medan permukaan hadapan, pemancar permukaan hadapan, halaju penggabungan permukaan hadapan dan jangka hayat pembawa minoriti. Hasil simulasi mendedahkan bahawa jangka hayat wafer yang tinggi diperlukan bagi mendapatkan kecekapan sel suria yang tinggi. Proses-proses utama melibatkan penyingkiran kerosakan gergaji, penteksturan, pembersihan RCA, difusi POCl3, pencetakan skrin, pengeringan dan penyepuhlindapan bersuhu tinggi. Variasi kerintangan pemancar dan pembentukan sentuhan di antara filem perak dan pemancar adalah asas bagi kajian ini. Data awal menunjukkan kecekapan fabrikasi sel suria adalah 12.12 % untuk silikon wafer jenis-p dan 9.15 % untuk silikon wafer jenis-n. Kecekapan rendah disebabkan oleh jangka hayat pembawa minoriti yang rendah dan kekurangan pempasifan di permukaan. Dengan penambahbaikan pada pempasifan dan jangka hayat yang tinggi, maka kecekapan 18 % hingga 20 % boleh direalisasikan.,Sarjana Sains | - |
| dc.language.iso | may | - |
| dc.publisher | UKM, Bangi | - |
| dc.relation | Solar Energy Research Institute / Institut Penyelidikan Tenaga Suria (SERI) | - |
| dc.rights | UKM | - |
| dc.subject | Solar cells | - |
| dc.subject | Silicon solar cells | - |
| dc.subject | Universiti Kebangsaan Malaysia -- Dissertations | - |
| dc.subject | Dissertations, Academic -- Malaysia | - |
| dc.title | Simulasi dan fabrikasi bagi proses pengubahansuaian sel suria silikon jenis-p keatas wafer silikon jenis-n | - |
| dc.type | theses | - |
| dc.format.pages | 112 | - |
| dc.identifier.callno | TK2960.W346 2018 3 tesis | - |
| dc.identifier.barcode | 005523(2021)(PL2) | - |
| Appears in Collections: | Solar Energy Research Institute / Institut Penyelidikan Tenaga Suria (SERI) | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ukmvital_121941+SOURCE1+SOURCE1.0.PDF Restricted Access | 3.39 MB | Adobe PDF |  View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.