Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/463233
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Muhammad Azmi Abdul Hamid, Prof. Madya Dr. | - |
dc.contributor.author | Maria binti Abu Bakar (P45205) | - |
dc.date.accessioned | 2023-09-25T09:19:26Z | - |
dc.date.available | 2023-09-25T09:19:26Z | - |
dc.date.issued | 2012-10-10 | - |
dc.identifier.other | ukmvital:73406 | - |
dc.identifier.uri | https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/463233 | - |
dc.description | Kajian ini membincangkan pertumbuhan filem zink oksida (ZnO), nikel oksida (NiO) dan magnesium oksida (MgO) melalui kaedah berasaskan pertumbuhan kimia akues. Substrat yang digunakan adalah substrat kaca, substrat kaca bersalut logam (Au, Ni dan Pt) dan substrat Si untuk pertumbuhan ZnO manakala substrat Mg dan substrat MgO untuk pertumbuhan MgO dan hanya substrat kaca untuk pertumbuhan NiO. Parameter yang dikaji melibatkan masa dan suhu tertentu. Filem ZnO berjaya dihasilkan pada suhu 90°C dengan masa pertumbuhan 1.5 jam hingga 3 jam. Morfologi filem ZnO terbentuk berstruktur bujur, rod heksagon dan nanorod bergantung kepada masa pertumbuhan dan substrat yang digunakan. Hasil keputusan XRD menunjukkan saiz hablur filem ZnO yang tumbuh di atas substrat Si meningkat dari 34 nm kepada 37 nm dengan peningkatan masa pertumbuhan 1.5 jam kepada 3 jam. Cerapan yang sama juga didapati untuk ZnO yang ditumbuhkan di atas substrat kaca bersalut Pt iaitu peningkatan saiz hablur daripada 27 nm kepada 32 nm apabila masa pertumbuhan bertambah kepada 3 jam. Tiada perubahan saiz hablur yang ketara antara ketiga-tiga substrat kaca bersalut logam. Nilai jurang jalur tenaga, Eg yang tertinggi iaitu 3.90 eV dicatatkan bagi filem ZnO yang ditumbuhkan di atas substrat Si pada suhu 90°C selama 3 jam. Berbeza dengan ZnO, hanya filem yang kaya hidroksida nikel, Ni(OH)2 dan kaya hidroksida magnesium, Mg(OH)2 yang terhasil melalui kaedah kimia akues, dan pengoksidaan pada suhu tinggi diperlukan untuk menghasilkan NiO dan MgO sepenuhnya. Morfologi filem Ni(OH)2 terhasil berbentuk seakan batu karang yang poros. Hasil keputusan XRD menunjukkan saiz hablur filem Ni(OH)2 yang ditumbuhkan pada suhu 150°C selama 4 jam ialah 8 nm dan berkurang kepada 5 nm apabila filem ini dioksidakan menjadi NiO pada suhu 400°C. Nilai Eg filem Ni(OH)2 meningkat dari 3.72 eV kepada 3.91 eV dengan peningkatan masa pertumbuhan dari 1 jam kepada 4 jam manakala nilai Eg bagi filem NiO ialah 4.00 eV. Morfologi filem Mg(OH)2 yang terhasil adalah berbentuk poros dan kepingan. Bentuk ini berkekalan apabila filem ini dioksidakan menjadi MgO pada 300°C. Hasil keputusan XRD menunjukkan saiz hablur filem Mg(OH)2 yang ditumbuhkan pada suhu 180°C selama 4 jam ialah 12 nm bagi substrat Mg dan 19 nm bagi substrat MgO. Saiz hablur filem ini meningkat kepada 90 nm apabila dioksidakan sepenuhnya menjadi MgO pada suhu 300°C. Nilai Eg filem Mg(OH)2 yang ditumbuhkan pada suhu 180°C selama 4 jam ialah 5.40 eV bagi substrat Mg dan 5.90 eV bagi substrat MgO. Nilai Eg yang lebih tinggi iaitu 6.00 eV dicatatkan oleh filem MgO.,Master/Sarjana | - |
dc.language.iso | may | - |
dc.publisher | UKM, Bangi | - |
dc.relation | Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi | - |
dc.rights | UKM | - |
dc.subject | Sintesis | - |
dc.subject | Filem logam oksida (ZnO | - |
dc.subject | NiO | - |
dc.subject | MgO) | - |
dc.subject | Pertumbuhan kimia akues | - |
dc.subject | Metallic oxides -- Synthesis | - |
dc.title | Sintesis dan pencirian filem logam oksida (ZnO, NiO, MgO) menggunakan kaedah pertumbuhan kimia akues | - |
dc.type | theses | - |
dc.format.pages | 164 | - |
dc.identifier.callno | QD181.O1.M347 2012 | - |
dc.identifier.barcode | 000332 | - |
Appears in Collections: | Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
ukmvital_73406+Source01+Source010.PDF Restricted Access | 9.12 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.