Pengiraan sifat elektronik untuk noktah kuantum InAs-GaAz menggunakan kaedah-kaedah perbezaan terhingga dan Monte Carlov jalanan rawak

Woon Chen Yek (P41511)

Please use this identifier to cite or link to this item: https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/499556

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Geri Gopir, Dr.
dc.contributor.author	Woon Chen Yek (P41511)
dc.date.accessioned	2023-10-13T09:32:46Z	-
dc.date.available	2023-10-13T09:32:46Z	-
dc.date.issued	2016-01-25
dc.identifier.other	ukmvital:80098
dc.identifier.uri	https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/499556	-
dc.description	Noktah kuantum merupakan hablur nano daripada bahan semikonduktor dengan saiz dalam julat 1-10 nanometer. Disebabkan saiz yang kecil itu, elektron dalam noktah kuantum telah dikurungkan dengan tenaga yang diskret seperti dalam atom. Sifat-sifat elektronik sistem ini boleh diubah dengan mengubah saiz, bentuk dan bahan semikonduktor yang digunakan. Ini menjadikan noktah kuantum sesuai untuk pelbagai aplikasi, terutamanya peranti elektronik dan alat pengesan. Walau bagaimanapun, fabrikasi noktah kuantum sentiasa memerlukan langkah yang rumit dan kos ujian yang tinggi. Simulasi akan menjimatkan kedua-dua masa dan kewangan bagi mencirikan sifat-sifat elektronik sistem noktah kuantum semikonduktor. Kajian ini melibatkan pengiraan sifat keadaan elektron dalam sistem noktah kuantum semikonduktor InAs- GaAs dengan simetri dan saiz yang berbeza. Persamaan Schrödinger satu jalur telah diselesaikan secara komputasi untuk mendapatkan fungsi gelombang dan tenaga bagi keadaan elektron. Dua jenis kaedah berangka yang berasaskan perbezaaan terhingga dan Monte Carlo jalanan rawak Anderson telah dibangunkan dalam kajian ini. Kemudiannya, dibangunkan kaedah Monte Carlo kacukan (atau hibrid) baharu yang mampu memodel sifat keadaan teruja. Hasil pengiraan kaedah-kaedah ini telah dibandingkan dengan hasil pengiraan analitik dalam model noktah kuantum simetri sfera yang berjejari 10 nm dan kubus dengan panjang sisi 10 nm, memberi ralat yang kurang daripada 5 %. Pengaruh parameter bahan dan kaedah terhadap hasil pengiraan juga diambil kira dalam kajian ini untuk meminimumkan ralat dan meninggikan kelajuan pelaksanaan algoritma kaedah berangka ini. Seterusnya, kaedah Monte Carlo kacukan baharu ini telah digunakan dalam penganggaran sifat keadaan elektron bagi sistem noktah kuantum InAs-GaAs yang bersimetri kubus, sfera dan piramid dalam saiz 1 - 10 nm nanometer. Jumlah keadaan tenaga yang terikat dan ketumpatan fungsi gelombangnya juga ditentukan dalam kajian ini untuk memberikan pemahaman terhadap keadaan elektron terikat dalam sistem noktah kuantum ini. Sebagai kesimpulan, kaedah Monte Carlo kacukan yang dibangunkan dalam kajian berjaya menganggarkan fungsi gelombang dan tenaga bagi elektron terikat sehingga ke keadaan teruja ketiga pada kes noktah-noktah kuantum kubus dan sfera bersaiz 10 nm.,Ph.D.
dc.language.iso	may
dc.publisher	UKM, Bangi
dc.relation	Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi
dc.rights	UKM
dc.subject	Noktah kuantum
dc.subject	Semikonduktor
dc.subject	Elektron
dc.subject	Universiti Kebangsaan Malaysia -- Dissertations
dc.subject	Dissertations, Academic -- Malaysia
dc.title	Pengiraan sifat elektronik untuk noktah kuantum InAs-GaAz menggunakan kaedah-kaedah perbezaan terhingga dan Monte Carlov jalanan rawak
dc.type	Theses
dc.format.pages	226
dc.identifier.barcode	002037 (2016)
Appears in Collections:	Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
ukmvital_80098+SOURCE1+SOURCE1.0.PDF Restricted Access		143.17 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Recommend this item