Fabrikasi dan pencirian diod Schottky 4H-SiC

Ishak bin Mansor (P41714)

Please use this identifier to cite or link to this item: https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/499461

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Muhammad Azmi Abdul Hamid, Prof. Madya Dr.	-
dc.contributor.author	Ishak bin Mansor (P41714)	-
dc.date.accessioned	2023-10-13T09:32:08Z	-
dc.date.available	2023-10-13T09:32:08Z	-
dc.date.issued	2013-06-06	-
dc.identifier.other	ukmvital:74775	-
dc.identifier.uri	https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/499461	-
dc.description	Bahan semikonduktor 4-heksagon silikon karbida (4H-SiC) telah digunakan dalam kajian ini untuk memfabrikasikan diod Schottky yang sesuai untuk kegunaan sinaran nuklear. Kajian ini melibatkan proses pembentukan sentuhan Schottky menggunakan gabungan rekabentuk logam bertindih dengan rekabentuk logam gelang adang. Kajian terhadap nilai rintangan permukaan (Rs), nilai faktor unggul (n) dan nilai ketinggian sawar (ΦB) bagi diod tersebut dilakukan untuk menilai kualiti sentuhan Schottky antara logam dengan bahan semikonduktor 4H-SiC. Lapisan epitaksi 4H-SiC berketebalan 45 μm dan lapisan substrat berketebalan 330 μm yang masing-masing mempunyai ketumpatan dopan nitrogen, 3 x 1015 cm-3 dan 1 x 1018 cm-3 telah digunakan untuk memfabrikasikan diod tersebut. Logam nipis Ti berketebalan 4 nm dan Ni berketebalan 13 nm dimendapkan dengan kaedah alur elektron dan seterusnya disepuhlindapkan pada suhu 600 °C dalam gas argon untuk proses pengoptimuman sentuhan Schottky. Dua saiz diod telah dibangunkan iaitu 250 x 250 μm2 dan 500 x 500 μm2. Pencirian kecacatan permukaan bahan 4H-SiC telah menemui kecacatan seperti lubang punaran, mikro paip, lobak dan kecacatan menyatah yang berukuran 200 μm hingga 250 μm. Ujian voltan pincang hadapan untuk semua diod Schottky menunjukkan graf arus melawan voltan (I-V) menghampiri graf unggul dan diod yang bersaiz 250 x 250 μm2 memberikan nilai arus yang konsisten pada 1 V dalam julat 2.41 - 2.88 mA. Manakala diod bersaiz 500 x 500 μm2 memberikan sifat elektrik yang hampir sama bila tiada kecacatan bahan. Ujian voltan pincang belakang sehingga -100 V memberikan arus bocor yang rendah dalam julat 0.87 pA hingga 187.35 pA untuk kesemua saiz diod. Nilai ΦB diod Schottky ditentukan menggunakan perisian dibangunkan yang memberikan perbezaan yang rendah, iaitu 0.0006% berbanding dengan teknik model pancaran ion haba yang sedia ada. Didapati 93 daripada 137 diod yang diuji mempunyai nilai ΦB lebih besar daripada 1 eV dan 44 unit diod mempunyai nilai ΦB kurang dari 1 eV. Purata keseluruhan ΦB untuk diod tersebut adalah 1.044 ± 0.119 eV. Daripada keputusan yang didapati, sifat elektrik diod Schottky dapat ditingkatkan dengan gabungan rekabentuk logam bertindih yang membentuk sentuhan Schottky antara logam Ni dengan Ti dan Ti dengan SiC. Kaedah fabrikasi seperti pencucian persediaan permukaan dan sepuhlindap membantu pembentuk sentuhan logam Ti dengan bahan 4H-SiC dengan lebih baik dan mengurangkan masalah sentuhan terutama pada kawasan yang ada kecacatan, manakala rekabentuk gelang adang dapat mengurangkan kebocoran arus. Saiz diod yang optimum didapati mampu mengurangkan kesan kecacatan bahan 4H-SiC yang akhirnya mengurangkan kegagalan sifat elektrik diod Schottky.,Ph.D	-
dc.language.iso	may	-
dc.publisher	UKM, Bangi	-
dc.relation	Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi	-
dc.rights	UKM	-
dc.subject	Diod Schottky	-
dc.subject	Diodes	-
dc.subject	Schottky-barrier -- Classification	-
dc.title	Fabrikasi dan pencirian diod Schottky 4H-SiC	-
dc.type	Theses	-
dc.format.pages	229	-
dc.identifier.callno	TK7871.89.S35.I837 2013	-
dc.identifier.barcode	000302	-
Appears in Collections:	Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
ukmvital_74775+Source01+Source010.PDF Restricted Access		7.05 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Recommend this item