Please use this identifier to cite or link to this item: https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/475769
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorMohd Ambar Yarmo, Prof. Dr.-
dc.contributor.authorWan Zurina Samad (P48083)-
dc.date.accessioned2023-10-05T06:41:42Z-
dc.date.available2023-10-05T06:41:42Z-
dc.date.issued2018-05-22-
dc.identifier.otherukmvital:114724-
dc.identifier.urihttps://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/475769-
dc.descriptionOksida pengkonduksi lutsinar (TCO’s) banyak digunakan dalam pelbagai aplikasi seperti semikonduktor, peranti elektronik, sel solar, paparan sesentuh, sensor gas, akhbar elektronik, pakaian pintar dan lain-lain. Dalam kajian ini, timah oksida terdop fluorin (FTO) adalah alternatif gantian yang mungkin kepada timah oksida terdop indium (ITO) kerana FTO tidak mahal serta stabil daripada segi kimia dan terma. Teknik cetakan inkjet merupakan satu pendekatan baru dan moden yang boleh menyalut pada skala nanometer, mudah dan cepat serta boleh mencetak dalam pelbagai corak peranti elektronik. Dalam kajian ini, bahan FTO boleh dihasilkan dalam bentuk serbuk, larutan dan juga filem lapisan nipis. Sebatian FTO telah disintesis dengan kaedah percampuran biasa diantara bahan prekursor SnCl4.5H2O dengan NH4F sebagai agen pendopan. Peratusan bahan dopan fluorin telah dilakukan pada 15, 30, dan 50 %. Kepekatan fluorin pada 15 % telah dipilih sebagai kepekatan optimum bahan FTO. Proses penyalutan filem nipis dijalankan pada suhu 30 oC, 40 oC dan 60 oC serta pada bilangan lapisan dua hingga lima telah dilakukan. Analisis permukaan sampel FTO menggunakan teknik XPS, menunjukkan sampel FTO yang dihasilkan dalam bentuk serbuk dan filem nipis mengandungi unsur-unsur stanum, oksigen dan fluorin dengan tenaga ikatan (BE) masing-masing pada 486.6 eV, 530.5 eV dan 685.1 eV dengan isyarat fotoelektron Sn 3d, O1s dan juga F1s. Analisis XPS juga mengesahkan adanya ikatan antara Sn-O dan juga Sn-F dengan nombor pengoksidaan Sn4+. Pencirian FTO menggunakan XRD menunjukkan sampel bersifat separa kristal dengan hablur berbentuk kasiterit dan tetragonal. Analisis morfologi permukaan menggunakan VP-SEM dan TEM menunjukkan bahan FTO mempunyai bentuk butiran bulat dengan anggaran saiz zarah antara 2 hingga 30 nm. Transmisi optikal UV-VIS didapati meningkat dengan peningkatan suhu semasa penyalutan iaitu dari 60 %T, 91 %T dan 80 %T masing-masing bagi filem disalut pada suhu 30 oC, 40 oC dan 60 oC yang disebabkan oleh faktor pemeruapan pelarut. Kerintangan elektrik bahan FTO meningkat daripada 21 Ω/m2 ke 23 Ω/m2 apabila suhu penyalutan dinaikkan daripada 30 oC ke 60 oC. Kerintangan optimum dicatatkan pada 16 Ω/m2, bagi filem nipis yang disalut pada suhu 40 oC. Ini berkemungkinan disebabkan pada suhu 40 oC, filem nipis yang terhasil adalah lebih seragam. Keseluruhan penyelidikan yang dijalankan ini telah berjaya mensintesis dakwat FTO yang bersifat nano seterusnya berjaya menyalut filem lapisan nipis FTO menggunakan teknik cetakan dakwat yang menghasilkan filem nipis dengan sifat transmisi optikal dan kerintangan keping elektrik yang baik.,Tesis ini tidak ada “Perakuan Tesis Sarjana / Doktor Falsafah”,Sarjana Sains,Tesis ini tidak ada “Perakuan Tesis Sarjana/Doktor Falsafah”-
dc.language.isomay-
dc.publisherUKM, Bangi-
dc.relationFaculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi-
dc.rightsUKM-
dc.subjectThin films-
dc.subjectUniversiti Kebangsaan Malaysia -- Dissertations-
dc.subjectDissertations, Academic -- Malaysia-
dc.titlePenyediaan dan penyalutan filem nipis sebatian nano timah oksida terdop fluorin (FTO) menggunakan teknik cetakan jet dakwat-
dc.typeTheses-
dc.format.pages184-
dc.identifier.callnoTP973.W335 2016 tesis-
Appears in Collections:Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi

Files in This Item:
There are no files associated with this item.


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.