Please use this identifier to cite or link to this item: https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/468017
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorMohd Asri Mat Teridi, Dr.-
dc.contributor.authorMohamad Firdaus Mohamad Noh (P84132)-
dc.date.accessioned2023-10-02T07:24:48Z-
dc.date.available2023-10-02T07:24:48Z-
dc.date.issued2018-09-19-
dc.identifier.otherukmvital:117906-
dc.identifier.urihttps://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/468017-
dc.descriptionPada masa kini, penjanaan tenaga elektrik daripada sumber konvensional dijangka tidak lagi mampu untuk menampung permintaan terhadap tenaga elektrik yang kian meningkat di samping mencetuskan pelbagai isu alam sekitar. Oleh itu, teknologi sel suria yang dilihat sebagai sumber yang boleh diperbaharui, bersih dan selamat telah dibangunkan. Sel suria perovskit merupakan salah satu teknologi yang menjanjikan kebolehan menjana tenaga elektrik pada kos yang rendah. Dalam peranti tersebut, lapisan pengangkut elektron merupakan antara komponen utama yang diperlukan untuk memastikan sel suria perovskit mencapai kecekapan yang tinggi. Dalam kajian ini, filem nipis SnO2 telah dibangunkan sebagai lapisan pengangkut elektron menggunakan teknik pemendapan wap kimia bantuan aerosol. Analisis EDX mengesahkan bahawa filem SnO2 telah berjaya disintesis. Didapati bahawa filem SnO2 dengan ketebalan kirakira 50 nm mempamerkan gerak balas fotoelektrik yang paling optimum. Apabila filem SnO2 dimendapkan pada suhu 450°C, filem tersebut menunjukkan tahap kekristalan yang tinggi, permukaan yang kasar, sela jalur yang kecil dan ketumpatan pembawa cas bebas yang besar. Sebaliknya, filem yang disediakan pada suhu 180°C pula memiliki sifat amorfus, permukaan yang rata, sela jalur yang besar dan nilai ketumpatan pembawa cas bebas yang rendah. Sel suria yang menggunakan filem SnO2 yang diproses pada suhu rendah menunjukkan kecekapan 6 kali ganda lebih tinggi berbanding sel yang menggunakan lapisan SnO2 berasaskan suhu tinggi oleh sebab penggabungan semula elektron dan lohong dapat diatasi dengan efektif. Apabila perbandingan dibuat di antara filem SnO2 yang dihasilkan melalui kaedah salutan berputar dengan filem SnO2 berasaskan teknik pemendapan wap kimia bantuan aerosol, sampel yang kedua memberikan kecekapan sel suria perovskit yang lebih tinggi, kestabilan terhadap pendedahan udara yang lebih baik dan kesan histeresis yang kurang. Kajian ini mendapati bahawa kaedah salutan berputar menghasilkan filem SnO2 dengan kekosongan oksigen yang banyak. Hal ini menyebabkan lapisan tersebut lebih bersifat hidrofilik dan mempercepatkan proses degradasi lapisan perovskit. Kekosongan oksigen juga memperlahankan kadar pemindahan elektron daripada lapisan perovskit ke lapisan pengangkut elektron SnO2 sebagai mana yang diperhatikan daripada analisis EIS dan PL. Kewujudan kekosongan oksigen dapat dielakkan dengan penggunaan teknik pemendapan wap kimia bantuan aerosol. Oleh hal yang demikian, teknik pemendapan wap kimia bantuan aerosol yang dapat menghasilkan lapisan SnO2 berketebalan 50 nm pada suhu rendah iaitu 180°C adalah paling optimum dan mampu membawa kepada penghasilan sel suria perovskit dengan kecekapan sehingga 10.2%.,Sarjana Sains-
dc.language.isomay-
dc.publisherUKM, Bangi-
dc.relationSolar Energy Research Institute / Institut Penyelidikan Tenaga Suria (SERI)-
dc.rightsUKM-
dc.subjectThin films-
dc.subjectUniversiti Kebangsaan Malaysia -- Dissertations-
dc.subjectDissertations, Academic -- Malaysia-
dc.titlePengoptimuman filem nipis stanum (IV) oksida melalui teknik pemendapan wap kimia bantuan aerosol sebagai lapisan pengangkut elektron dalam sel perovskit-
dc.typetheses-
dc.format.pages196-
dc.identifier.callnoTA418.9.T45M845 2018 3 tesis-
dc.identifier.barcode004015(2019)-
Appears in Collections:Solar Energy Research Institute / Institut Penyelidikan Tenaga Suria (SERI)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ukmvital_117906+SOURCE1+SOURCE1.0.PDF
  Restricted Access
3.45 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.