Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/464249
Title: | Kesan morfologi permukaan substrat terhadap pertumbuhan sebatian antara logam (IMC) bagi pematerian aloi pateri bebas plumbum |
Authors: | Rabiah Al Adawiyah Ab Rahim (P80355) |
Supervisor: | Azman Jalar, Prof. Dr. |
Keywords: | Universiti Kebangsaan Malaysia -- Dissertations Dissertations, Academic -- Malaysia Permukaan substrat kuprum (Cu) Logam (IMC) Alloys |
Issue Date: | 28-Sep-2022 |
Description: | Kajian ini bertujuan untuk menilai kesan keadaan permukaan substrat kuprum (Cu) ke atas pertumbuhan sebatian antara logam (IMC) dan tindak balas antaramuka pematerian menggunakan pateri bebas plumbum SAC 305 selepas melalui proses penuaan. Keadaan morfologi permukaan substrat Cu dijangka mempengaruhi aktiviti pertumbuhan lapisan IMC. Di dalam kajian ini, kertas pasir silikon karbida (SiC) berlainan grit dikenakan pada permukaan substrat Cu untuk menghasilkan kekasaran permukaan yang berbeza. Morfologi permukaan substrat Cu dicerap menggunakan mikroskop fokus tak terhingga (IFM). Pengukuran permukaan primer, kekasaran dan kegelombangan digunakan dalam analisis stereometri keadaan permukaan substrat. Proses pematerian tangan telah dijalankan menggunakan bahan pateri bebas Pb iaitu Sn3.0Ag0.5Cu (SAC 305) di atas permukaan substrat Cu yang telah dicanai menggunakan kertas pasir SiC bergrit berbeza. Proses penuaan dijalankan ke atas sambungan pateri SAC 305 di atas permukaan substrat Cu yang berbeza grit menggunakan ujian penyimpanan suhu tinggi (HTS) pada suhu 150 °C dengan tempoh masa penuaan berbeza iaitu 200 jam, 400 jam, 600 jam, 800 jam dan 1000 jam untuk menggalakkan pertumbuhan lapisan IMC. Proses penuaan didapati telah meningkatkan pertumbuhan ketebalan lapisan IMC selepas proses pematerian. Pengukuran ketebalan lapisan IMC selepas ujikaji penuaan di cerap dan diukur menggunakan IFM. Keputusan menunjukkan profil kegelombangan merupakan parameter stereometri keadaan permukaan yang sesuai untuk menganalisis struktur permukaan substrat Cu selepas dicanai menggunakan kertas pasir SiC. Pertumbuhan ketebalan lapisan IMC didapati berbeza disebabkan morfologi permukaan substrat Cu dan bahan ditetapkan. Morfologi permukaan substrat Cu yang berbeza didapati memainkan peranan dalam aktiviti pertumbuhan lapisan IMC. Kekasaran permukaan substrat Cu yang menggunakan kertas pasir SiC bergrit 800, dengan purata kekasaran, Ra 338.35 nm didapati dapat mengawal pertumbuhan lapisan IMC dengan nilai ketebalan yang paling rendah berbanding dengan penggunaan kertas pasir grit yang lain. Manakala pada kekasaran permukaan substrat Cu dengan grit 1200, nilai ketebalan lapisan IMC yang paling tinggi diperolehi iaitu 23.65 μm. Perubahan sifat mekanik dari segi kekerasan, modulus terkurang, kerja plastik, kerja elastik, kedalaman maksimum dan kedalaman plastik bagi kekasaran permukaan substrat Cu pada grit 800 menunjukkan perubahan sifat mekanik yang paling minima berbanding dengan kekasaran permukaan substrat Cu yang lain. Justeru, sambungan logam SAC 305 pada kekasaran permukaan substrat Cu pada grit 800 menunjukkan pertumbuhan lapisan IMC dan sifat mekanik yang paling stabil.,Sarjana |
Pages: | 150 |
Publisher: | UKM, Bangi |
Appears in Collections: | Institute of Microengineering and Nanoelectronics / Institut Kejuruteraan Mikro dan Nanoelektronik (IMEN) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
ukmvital_131129+Source01+Source010.PDF Restricted Access | 6.05 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.