Penghasilan dan pencirian transistor kesan medan nanotiub karbon (CNTFET) melalui kaedah pertumbuhan langsung dan kaedah penyebaran

Farah Dzilhani Zulkefli (P88582)

Please use this identifier to cite or link to this item: https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/464232

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Mohd Ambri Mohamed, Prof. Madya Dr.	-
dc.contributor.author	Farah Dzilhani Zulkefli (P88582)	-
dc.date.accessioned	2023-09-26T06:49:35Z	-
dc.date.available	2023-09-26T06:49:35Z	-
dc.date.issued	2019-08-21	-
dc.identifier.other	ukmvital:120818	-
dc.identifier.uri	https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/464232	-
dc.description	Nanotiub karbon (CNT) boleh dianggap sebagai alotrop karbon yang paling banyak dikaji dalam alaf ini. Dari sudut pandangan aspek pencirian elektronik, CNT boleh menjadi samada konduktor mahupun semikonduktor bergantung ke atas struktur molekulnya. Teknik untuk memisahkan ikatan CNT kepada penyebaran CNT yang homogen masih dalam kajian. Kaedah pertumbuhan langsung menjanjikan peranti CNT logam namun sukar memperoleh peranti semikonduktor kerana ikatan CNT yang cenderung kepada struktur molekul logam. Manakala kaedah penyebaran CNT dalam bentuk cecair boleh menstabilkan individu CNT juga mengekalkan integriti dan sifat intrinsiknya. Oleh itu, kajian ini adalah untuk memperkenalkan transistor kesan medan (FET) jenis konduktor dan semikonduktor melalui kaedah pertumbuhan langsung CNT dan melalui kaedah penyebaran bagi memperoleh sasaran diameter seragam berkisar dibawah 100 nm untuk mendapatkan kualiti CNTFET yang baik. Secara intrinsiknya, CNT boleh untuk mengikat atau memisah. Cara bagi mengatasi hal sedmikian telah diterokai dan diuji melalui pelbagai teknik demi menambah baik penyebaran CNT di dalam bentuk cecair. Pertumbuhan CNT berlaku secara langsung di atas substrat Si/SiO2 dengan pemangkin Co menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia (ACCVD) pada suhu 900癈. Bilamana kaedah penyebaran CNT adalah lebih mudah, CNT sedia ada yang dikomersilkan telah disembur di atas permukaan substrat Si/SiO2. Morfologi kedua-dua CNT samada CNT yang tumbuh mahupun CNT sedia ada telah disiasat menggunakan spektroskopi Raman dan mikroskopi elektron pengimbasan pancaran medan (FESEM) bagi mengenal pasti saiz dan taburan CNT masing-masing. Dari segi mobiliti elektron, pada saluran peranti 10 祄, melalui kaedah pertumbuhan langsung dan kaedah penyebaran telah dikira masing-masing menghasilkan 4.1x 101 cm2 /Vs dan 1.9 x 103 cm2 /Vs. Dari aspek voltan threshold dan nisbah arus buka/tutup merujuk daripada pencirian pemindahan, CNTFET yang terhasil daripada kaedah penyebaran menghasilkan prestasi yang lebih kurang sama, masingmasing Vth = 1.0 V dan 10-3 /10-7 = 104 berbanding kaedah pertumbuhan masing-masing Vth = 0.2 dan 10-5 /10-8 = 104 . Konklusinya, sampel pada kepekatan CNT 5.518 X 10-3 M merupakan peranti yang memberikan prestasi baik berbanding sampel lain kerana nilai kiraan mobiliti yang paling tinggi iaitu 1900 cm2 /Vs dan nisbah arus buka/tutup juga paling tinggi pada 104.,Sarjana Sains	-
dc.language.iso	may	-
dc.publisher	UKM, Bangi	-
dc.relation	Institute of Microengineering and Nanoelectronics / Institut Kejuruteraan Mikro dan Nanoelektronik (IMEN)	-
dc.rights	UKM	-
dc.subject	Carbon nanotubes	-
dc.subject	Transistors	-
dc.subject	Universiti Kebangsaan Malaysia -- Dissertations	-
dc.subject	Dissertations, Academic -- Malaysia	-
dc.title	Penghasilan dan pencirian transistor kesan medan nanotiub karbon (CNTFET) melalui kaedah pertumbuhan langsung dan kaedah penyebaran	-
dc.type	theses	-
dc.format.pages	74	-
dc.identifier.callno	TA418.9.N3F337 2019 3 tesis	-
dc.identifier.barcode	005385(2021)(PL2)	-
Appears in Collections:	Institute of Microengineering and Nanoelectronics / Institut Kejuruteraan Mikro dan Nanoelektronik (IMEN)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
ukmvital_120818+SOURCE1+SOURCE1.1.PDF Restricted Access		1.46 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Recommend this item