Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ptsldigital.ukm.my/jspui/handle/123456789/462631| Title: | Penyediaan semikonduktor WO3 terdop mangan, ferum, kobalt, nikel, galium, dan molibdenum sebagai fotoanod sel fotoelektrokimia |
| Authors: | Ng Kim Hang (P52289) |
| Supervisor: | Mohammad Kassim, Prof Madya Dr |
| Keywords: | Photoelectrochemistry Photocatalysis Photochemistry |
| Issue Date: | 1-Nov-2012 |
| Description: | Filem nipis semikonduktor tungsten trioxida (fotoanod) berdopan ferum, nikel, kobalt, gallium, molibdenum atau mangan telah disediakan bermula daripada asid tungstik dan garam asetat/klorida logam berkenaan dengan kaedah sol-gel di atas kaca FTO (stanum oksida terdop fluorin). Kesemua fotoanod tersebut telah dicirikan dengan kaedah SEM-EDX, XRD dan spektroskopi UV-Vis. Aktiviti fotomangkin semua fotoanod untuk menghasilkan fotoarus telah dikaji dengan menggunakan sel fotoelektrokimia di dalam larutan 0.5 M NaSO4, menggunakan platinum sebagai elektrod pelengkap dan SCE (elektrod kalomel tepu) sebagai elektrod rujukan. Mikrograf SEM menunjukkan pengedopan telah mengakibatkan peningkatan saiz zarah WO3 yang telah mengakibatkan kecederungan untuk penggabungan semula pasangan elektron-lohong positif secara pukal. Ini menyebabkan elektron yang terjana semasa ujaan cahaya lebih sukar dipindahkan dari pusat zarah WO3 kepada elektrod pelengkap untuk penurunan ion hidrogen. Difraktogram XRD WO3 telah menunjukkan anjakan sebanyak 0.2° berlaku bagi puncak utama (200) fasa WO3 dan ini membuktikan bahawa dopan telah berjaya digabungkan ke dalam kekisi WO3. Dengan itu, jurang tenaga WO3 telah dikurangkan daripada 2.73 eV kepada 2.55 eV, kecuali pengedopan dengan logam kobalt yang meningkatkan jurang tenaga WO3 kepada 3.03 eV. Julat penyerapan cahaya telah dipertingkatkan dari 450 nm kepada 485 nm dengan pengurangan jurang tenaga semikonduktor WO3 dan elektron di dalam jalur valensi semikonduktor WO3 dapat diujakan kepada jalur konduksi dengan tenaga yang lebih rendah. Ujian fotoelektrokimia menunjukkan pengedopan telah mempertingkatkan aktiviti fotomangkin WO3. Fotoarus WO3 tulen telah dipertingkatkan dari 50 μA/cm2 kepada 155 μA/cm2, kecuali pengedopan dengan kobalt yang menambah jurang tenaga WO3 mengakibatkan kemerosotan ketumpatan fotoarus. Secara umumnya, pengedopan yang dilakukan telah mengurangkan jurang tenaga semikonduktor WO3 dan seterusnya menyumbang kepada peningkatan aktiviti fotomangkin. Ini membuka ruang kepada semikonduktor WO3 berdopan Ga, Mo, Fe dan Ni untuk digunakan sebagai bahan untuk fotoanod sel fotoelektrokimia.,Tesis ini tiada perakuan deklarasi pelajar,Sarjana Sains |
| Pages: | 66 |
| Call Number: | QD181.W1N467 2012 tesis |
| Publisher: | UKM, Bangi |
| Appears in Collections: | Faculty of Science and Technology / Fakulti Sains dan Teknologi |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ukmvital_117466+SOURCE1+SOURCE1.0.PDF Restricted Access | 1.54 MB | Adobe PDF |  View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.